Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 500 V / 6 A 119 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

500V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.3Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

34nC

Gehäusegröße

TO-252

Höhe

9.65mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6A

Maximale Betriebstemperatur

175°C