Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 295 A 231 W, 7-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

150nC

Gehäusegröße

TO-263

Höhe

4.83mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

295A

Maximale Betriebstemperatur

175°C