Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 265 A 156 W PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.25mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

127nC

Gehäusegröße

PQFN

Höhe

1.05mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

265A

Länge

6mm