Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 259 A 156 W PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

129nC

Gehäusegröße

PQFN

Höhe

0.9mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

259A

Länge

5mm