Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 160 A 200 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

140nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

160A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

200W