Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 104 W PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

92nC

Gehäusegröße

PQFN

Höhe

0.9mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

159A

Länge

5mm