Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 119 A 140 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.5mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 89nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Höhe
- 6.22mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 119A
- Länge
- 6.73mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 140W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand 1 75 °C Betriebstemperatur Schnelles Schalten R Wiederholte Lawinenbildung erlaubt bis zu Tjmax L. EAD-frei
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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