Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 100 A 99 W TO-252

Technische Daten

Automobilstandard

AEC-Q101

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

66nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

175°C