Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 87 A 79 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

7.8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

26nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

87A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

79W