Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 23 A 341 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 23 A 341 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRLR2703TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRCF6Z-DRY8HZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 65mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 162nC
Gehäusegröße: TO-252
Höhe: 20.7mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 23A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 341W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Sie nutzt Advanced Processing Techniken, um den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser MOSFET wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren entwickelt.Sehr niedriger Einschaltwiderstand Fast Switching Voll-Avalanche-Bewertung Ohne Leitung

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Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 2000Mengenintervall: 2000

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