Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 180 A 89 W WDSON

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-40°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.77V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

49nC

Gehäusegröße

WDSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

180A

Maximale Betriebstemperatur

150°C