Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 140 A 200 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 9mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 140nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Höhe
- 15.88mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 140A
- Länge
- 10.67mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 200W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der Infineon 30 V Single N-Kanal IR MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.Planare Zellstruktur für eine breite Optimierung für eine breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße) Kann wellengelötet werden
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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