Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 14 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

13mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8.1nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

14A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

2.5W