Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 100 A 110 W, 8-Pin PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.85mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

37nC

Gehäusegröße

PQFN

Höhe

0.9mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100A

Maximale Betriebstemperatur

150°C