Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 250V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 48mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 110nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Höhe
- 9.65mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 45A
- Länge
- 10.67mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 330W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET wurde speziell für die Haltespannung entwickelt Energierückgewinnungs- und Passschalter-Anwendungen in Plasma-Display-Panels. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche und eine niedrige E-Impulsbelastbarkeit zu erreichen.Fortschrittliche Verfahrenstechnologie Wichtige Parameter optimiert für PDP-Haltezeit-, Energierückgewinnungs- und Passschalter-Anwendungen Niedrige EPULSE-Nennleistung zur Reduzierung der Verlustleistung in PDP-Anwendungen für Haltespannung, Energierückgewinnung und Durchpassschalter Niedrige QG für schnelles Ansprechen Hohe Repetitive Peak Current Capability für zuverlässigen Betrieb Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Schalten 175 °C Betriebsanschlusstemperatur für verbesserte Robustheit Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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