Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 324 A 156 W, 8-Pin SuperSO

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 324 A 156 W, 8-Pin SuperSO
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFH8201TRPBF

Produkt-Nr.: P-DRCF56-DRVM2X

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 25V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 950mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 56nC
Gehäusegröße: SuperSO
Höhe: 0.9mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 324A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 156W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal. Er wird hauptsächlich in Batterie-betriebenen DC-Motorwechselrichtern verwendet.Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W) RoHS-konform, halogenfrei

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