Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 72 A 375 W TO-262

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

18.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

100nC

Gehäusegröße

TO-262

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

72A

Maximale Betriebstemperatur

175°C