Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 43 A 320 W TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

54mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

60nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

43A

Maximale Betriebstemperatur

175°C