Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 17 A 140 W TO-252

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

165mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

27nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

17A

Maximale Betriebstemperatur

175°C