Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 93 A 79 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 93 A 79 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRFR3711ZTRPBF

Produkt-Nr.: P-DRCF6C-DRVM23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 7.8mΩ
Durchlassspannung (Vf): 10V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 27nC
Gehäusegröße: TO-252
Höhe: 6.22mm
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 93A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 79W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: HEXFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 93A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 7.8mΩ
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 27nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.73mm
Automobilstandard = Nein

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Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 2000Mengenintervall: 2000

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