Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 40 A 37 W PQFN

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gehäusegröße

PQFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

40A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

37W