Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

65mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

3.1nC

Gehäusegröße

PQFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3.4A

Maximale Betriebstemperatur

150°C