Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 51 A 230 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 150V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 32mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 89nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Höhe
- 9.65mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 51A
- Länge
- 10.67mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 230W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Der 1-N-Kanal-IR-MOSFET der Infineon IRFS-Serie. Dieser MOSFET wird in Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern, Plasma-Display-Panels usw. verwendetBleifrei Erhebliche Reduzierung der Schaltverluste
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,97 € 1,15 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 2400 verfügbar | ||
| 12 Monate | 2,12 € 2,52 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten