Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 28 A 89 W, 2-Pin DirectFET

Technische Daten

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

56mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

25nC

Gehäusegröße

DirectFET

Höhe

0.68mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

28A

Länge

4.85mm

Maximale Verlustleistung (Pd)

89W