Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W TO-252

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

580mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

44nC

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-13A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

110W