Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 0.9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

150mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4.5nC

Gehäusegröße

TSOP-6

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

0.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

2W