Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A 200 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 10mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 180nC
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 88A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 200W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- HEXFET
Produktbeschreibung
Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit. Er ist für hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS geeignet.Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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