Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 56 A 140 W TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

18mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

69nC

Gehäusegröße

TO-252

Höhe

10.41mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

56A

Länge

6.73mm