Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

160nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

162A