Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 30 V / 86 A 75 W TO-252

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

15nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

86A