Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 30 V / 6.5 A 2 W SO-8

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

46mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.78V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

22nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6.5A

Maximale Betriebstemperatur

150°C