Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 24 A 144 W TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

77.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

25nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

24A

Maximale Betriebstemperatur

175°C