Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 20 V / -9 A 2 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

20V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

18mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

42nC

Gehäusegröße

SO-8

Höhe

1.75mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-9A

Länge

5mm