Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

15mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

71nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

85A

Maximale Betriebstemperatur

175°C