Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET -12 V / -7.4 A 2 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-12V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

199mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8.1nC

Gehäusegröße

SO-8

Höhe

1.75mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-7.4A

Länge

5mm