Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 200 V / 9.1 A, 5-Pin TO-220

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

80mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

19nC

Gehäusegröße

TO-220

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

9.1A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Montageart

Oberfläche