Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -160 A 113 W DirectFET

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

67nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

DirectFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

-160A

Maximale Betriebstemperatur

150°C