Infineon HEXFET Fifth Generation Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 1.9 A 2.1 W SOT-223

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

55V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.16Ω

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7nC

Gehäusegröße

SOT-223

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C