Infineon Halbbrückentor-Treiber MOSFET 1 8-Pin DSO 20V 25 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 25ns
- Anstiegszeit
- 50ns
- Anzahl der Treiber
- 1
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- DSO
- Höhe
- 1.75mm
- Länge
- 5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 20V
- Minimale Versorgungsspannung
- 12.7V
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Halbbrückentor-Treiber
- Serie
- 1ED44176N01F
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Infineon EiceDRIVERTM 25-V-Einkanal-Niederspannungsseite-nicht-invertierende Gate-Treiber für MOSFET und IGBT mit typischer 0,8-A-Quelle und 1,75-A-Senkenströmung in einem kleinen 8-adrigen PG-DSO8-Gehäuse. Überstromschutz wird typischerweise durch eine Strommessung mit einem Komparator und mehreren Widerständen und Kondensatoren realisiert. 1ED44176N01F bietet Kosten- und Platzersparnis durch die Integration des Komparators. Der neue Low-Side-Gate-Treiber nutzt die proprietären latch-immun-CMOS-Technologien von Infineon, um eine robuste monolithische Konstruktion zu ermöglichen und gleichzeitig eine klassenbeste Fehlerberichtgenauigkeit mit OCP-Schwellentoleranz von +/-5 % zu erreichen. Darüber hinaus ermöglicht die IC-Technologie von Infineon ein kleines PG-DSO8-Gehäuse durch die Kombination des Fehlerausgangs und der Aktivierungsfunktionen in einem einzigen Stift.Überstromerkennung mit positivem Spannungseingang Ein Stift für Fehlerausgang und -freigabe Programmierbare Fehler-Löschzeit Unterspannungsverriegelung CMOS mit von Schmitt ausgelösten Eingängen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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