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Infineon Halbbrücken-IPM MOSFET 30 A 1 27-Pin PQFN 20V 35 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRSM005-301MH

Produkt-Nr.: P-DRFCHG-DRY8DP

Technische Daten

Abfallzeit
35ns
Anstiegszeit
70ns
Anzahl der Treiber
1
Ausgangsstrom
30A
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
PQFN
Höhe
1mm
Länge
8.1mm
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Versorgungsspannung
20V

Produktbeschreibung

Der Infineon IRSM005-301MH ist eine Universal-Halbbrücke mit integriertem Gate-Treiber in einem attraktiven 7 x 8 mm PQFN-Gehäuse. Er ist ein universell einsetzbarer Baustein, der für eine Vielzahl von Niederspannungsanwendungen geeignet ist, bei denen die Leistungsdichte von entscheidender Bedeutung ist. Typische Beispiele sind Advanced Motorantriebe, DC/AC- und DC/DC-Wandler.Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und minimaler parasitärer Wirkung HEXFETs mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand: 16 mΩ typ. Unterspannungsschutz an VCC und VBS Unabhängiger Gate-Antrieb in Phase mit Logikeingang Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V. Laufzeitverzögerung abgestimmt auf definierte Spezifikation

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Artikeltyp
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