Infineon Halbbrücken-IPM MOSFET 30 A 1 27-Pin PQFN 20V 35 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 35ns
- Anstiegszeit
- 70ns
- Anzahl der Treiber
- 1
- Ausgangsstrom
- 30A
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- PQFN
- Höhe
- 1mm
- Länge
- 8.1mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 20V
- Minimale Versorgungsspannung
- 10V
- Pinanzahl
- 27
- Produkt Typ
- Halbbrücken-IPM
- Serie
- IRSM005-301MH
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Infineon IRSM005-301MH ist eine Universal-Halbbrücke mit integriertem Gate-Treiber in einem attraktiven 7 x 8 mm PQFN-Gehäuse. Er ist ein universell einsetzbarer Baustein, der für eine Vielzahl von Niederspannungsanwendungen geeignet ist, bei denen die Leistungsdichte von entscheidender Bedeutung ist. Typische Beispiele sind Advanced Motorantriebe, DC/AC- und DC/DC-Wandler.Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand und minimaler parasitärer Wirkung HEXFETs mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand: 16 mΩ typ. Unterspannungsschutz an VCC und VBS Unabhängiger Gate-Antrieb in Phase mit Logikeingang Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V. Laufzeitverzögerung abgestimmt auf definierte Spezifikation
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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