Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

23nC

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

60A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

75W