Infineon Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) BTN99x0LV Typ P, Typ N-Kanal 2 MOSFET 40 V Doppelt / 115 A, 7-Pin PG
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 2
- Automobilstandard
- AEC-Q006, AEC-Q100
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Doppelt
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 9.6mΩ
- Gehäusegröße
- PG HSOF-7
- Kabelkanaltyp
- Typ P, Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 115A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Normen/Zulassungen
- AEC-Q100/Q006 (Grade 1)
- Pinanzahl
- 7
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- BTN99x0LV
- Transistor-Konfiguration
- Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X)
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 115A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Serie = BTN99x0LV
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 9.6mΩ
Channel-Modus = Doppelt
Gate-Source-spannung max Vgs = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = AEC-Q100/Q006 (Grade 1)
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q006, AEC-Q100
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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