Infineon Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) BTN99x0LV Typ P, Typ N-Kanal 2 MOSFET 40 V Doppelt / 115 A, 7-Pin PG

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Doppelt

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

9.6mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PG HSOF-7

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

115A

Maximale Betriebstemperatur

150°C