Infineon Gate-Treiber MOSFET 260 mA 8-Pin SOIC 625V 80 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 80ns
- Anstiegszeit
- 220ns
- Ausgangsstrom
- 260mA
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.75mm
- Länge
- 5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 625V
- Minimale Versorgungsspannung
- 15.4V
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Gate-Treiber
- Serie
- IRS
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Infineon IRS21531 basiert auf dem beliebten selbstoszillierenden Halbbrückentreiber-IC IR2153 mit einer Advanced Silicon-Plattform und verfügt über einen Hochspannungs-Halbbrückentorttreiber mit einem Front-End-Oszillator, ähnlich dem Industriestandard CMOS 555-Timer. HVIC- und Latch-Immune-CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Die Störfestigkeit wird mit niedriger di/dt Peak des Gate-Treibers erreicht.Integrierte 600-V-Halbbrücken-Gate-Ansteuerung ″Programmierbarer CT-, RT-Oszillator ″Zenerklemme mit 15,4 V auf VCC ″Micropower Startup ″Nicht verriegelte Abschaltung auf CT-Stift ″Interner Bootstrap-FET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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