Infineon FRAM 64 kB, 8K x 8 bit 550 ns Oberfläche SOIC 8-Pin

Ferroelektrischer 16-Kbit-Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 2K x 8 Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014) 151 Jahre Datenspeicherung (siehe Datenspeicherung und -dauer auf Seite 12) NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI) Bis zu 20 MHz Frequenz Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1) Ausgeklügeltes Schreibschutzschema Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP) Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array Geringer Stromverbrauch 200° A Wirkstrom bei 1 MHz Standby-Strom von 3° A (typ.) Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C. Gehäuse 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit) 8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)