Infineon FRAM 64 kB, 8K x 8 bit 3000 ns Oberfläche SOIC 8-Pin

64-Kbit-ferro-E-Random Access Memory (F-RAM) logisch organisiert als 8K x 8 10 Trillionen (1013) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer 121 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle ″Datenspeicherung und Lebensdauer″) Keine Verzögerung beim Schreiben Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C) Bis zu 1 MHz Frequenz Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz Geringer Stromverbrauch 120° A (typ.) Wirkstrom bei 100 kHz 6° A (typ.) Standby-Strom Spannungsbetrieb: VDD = 3,0 V bis 3,6 V KFZ-E-Temperatur: -40 °C bis +125 °C. 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)