Infineon FRAM 4 MB, 512 KB x 8 bit 16 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin

4 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch Organisiert als 512 K x 8 Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014) 151 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI) Bis zu 40 MHz Frequenz Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1) Ausgeklügeltes Schreibschutzschema Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP) Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array Geräte-ID Hersteller-ID und Produkt-ID Geringer Stromverbrauch 300° A Wirkstrom bei 1 MHz 100° A (typ.) Standby-Strom Schlafmodusstrom: 3° A (typ.) Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C. Gehäuse 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit) 8-poliges dünnes, flaches Gehäuse ohne Kabel (TDFN)