Infineon FRAM 4 kB, 512M x 8 bit 550 ns Oberfläche SOIC 8-Pin

4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8 Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014) 151 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C) Bis zu 1 MHz Frequenz Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz Geringer Stromverbrauch 100° A Wirkstrom bei 100 kHz Standby-Strom von 3° A (typ.) Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C. 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)