Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit 10 ns Oberfläche SOIC 8-Pin

Der Cypress Semiconductor FM24C04B ist ein nicht flüchtiger 4-Kbit-Speicher mit einem Advanced ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Sie bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Systemzuverlässigkeitsprobleme, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8 Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014) 151 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess