Infineon FRAM 2 MB, 256K x 8 bit 16 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin

2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 256 K x 8 Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014) 151 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle ″Datenspeicherung und Lebensdauer″) NODELAY ® schreibt Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess Sehr schnelles SPI Bis zu 40 MHz Frequenz Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1) Ausgeklügeltes Schreibschutzschema Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP) Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array Geräte-ID Hersteller-ID und Produkt-ID Geringer Stromverbrauch 300 μA Wirkstrom bei 1 MHz 100 μA (typ.) Standby-Strom 3 μA Ruhestrom Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C. Gehäuse 8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit) 8-poliges DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)